高压大功率FRD用硅外延片厚度测量方法

• 作者: 杨帆 潘文宾 王银海 黄宇程
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 高速恢复二极管 硅外延 厚层 FTIR 光谱变异
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 46-50
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 字数: 1351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1210

摘要

高压IGBT/FRD管(1200 V以上)用外延片外延厚度通常在100 μm以上,远超常规外延材料,使用傅里叶红外光谱法(FTIR)测量时,往往光谱center burst出现变异,对测量结果计算造成误差.实验分析不同因素对光谱的影响,同时确认重掺衬底条件下光谱正向峰型稳定规律,重新定义取值峰,采用正向峰值计算方法避免产生测试误差,提高测试稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨帆		9	11	2.0	3.0
2	潘文宾		3	0	0.0	0.0
3	黄宇程		2	0	0.0	0.0
4	王银海		7	4	1.0	2.0