抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计

• 作者: 何林彦 周枭 罗萍 肖天成
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐射 功率管 华夫饼结构 漏电流
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 730-734
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201904.0730

摘要

功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化.介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的全新功率管版图,并对普通条形栅结构N沟道功率管和新型华夫饼结构N沟道功率管进行了Co-60辐射实验.总剂量辐射使N沟道条形栅功率管发生漏电.辐射实验结果表明,经过无边缘化处理的华夫饼结构可以有效控制总剂量辐射诱发的漏电,能够大幅提升功率管的抗总剂量辐射能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	534	11.0	20.0
2	周枭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	0	0.0	0.0
3	肖天成	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	何林彦	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0