基于GaN HEMT技术的5G高线性单片集成放大器

• 作者: 张磊 蔡道民 谭仁超 银军
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 5G 高电子迁移率晶体管 功率放大器 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 1102-1106
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 3503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201906.1102

摘要

基于0.15μm氮化镓高电子迁移率晶体管技术(GaN HEMT),研制了一款5G毫米波通信用高线性单片集成功率放大器.通过优化材料结构,使器件在较宽的栅压动态范围内具有较为平坦的跨导特性;优化设置电路的静态直流工作点,均衡输出功率和线性等指标要求;采用栅宽比为1:2:3.2的三级放大结构保证了电路的增益和功率指标.芯片的在片测试结果表明,静态直流工作点为最大饱和电流的30％;在漏极电压20 V、脉冲100μs、占空比10％条件下,在24～28 GHz频率范围内,放大器的小信号增益大于22 dB,饱和输出功率位于40～40.5 dBm范围内,功率附加效率为30％～33％;输出功率回退至34 dBm时,功率附加效率为18％,在26 GHz、双音间隔100 MHz条件下,其三阶交调(IMD3)小于-30 dBc;该单片放大器芯片尺寸小于3.4 mm×3.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊		12	42	3.0	6.0
2	蔡道民	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	43	3.0	6.0
3	银军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0
4	谭仁超	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0