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BaO含量对K2O-B2O3-SiO2-Al2O3低温烧结材料性能的影响
BaO含量对K2O-B2O3-SiO2-Al2O3低温烧结材料性能的影响
作者:
尚勇
李欣源
钟朝位
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料
低温共烧陶瓷
介电性能
高弯曲强度
摘要:
在不添加熔融玻璃的情况下,采用一次预烧法制备了低温烧结的K2 O-B2 O3-SiO2-Al2 O3复合材料,并系统地讨论了BaO含量对复合材料微观结构、 物相组成、 介电性能、 弯曲强度和热膨胀系数的影响.X射线衍射结果表明复合材料的主晶相为石英相,次晶相为氧化铝相.除此之外,研究结果表明调整BaO含量有利于获得良好的烧结性能.当BaO质量分数为5%时,在850℃烧结的复合材料在14 GHz下的相对介电常数(εr)为5.42,介电损耗为3.6×10-3,热膨胀系数(TEC)为8.4×10-6/℃,弯曲强度为158 MPa.这为制备新型的LTCC材料提供了一种有效的方法,具有广阔的应用前景.
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篇名
BaO含量对K2O-B2O3-SiO2-Al2O3低温烧结材料性能的影响
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料
低温共烧陶瓷
介电性能
高弯曲强度
年,卷(期)
2019,(6)
所属期刊栏目
研究与试用
研究方向
页码范围
26-31
页数
6页
分类号
TQ174.1+2
字数
3682字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.06.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
钟朝位
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
49
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8.0
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2
尚勇
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
1
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李欣源
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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2016(1)
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2017(1)
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研究主题发展历程
节点文献
K2O-B2O3-SiO2-Al2O3复合材料
低温共烧陶瓷
介电性能
高弯曲强度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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