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A physical channel-potential and drain-current model for asymmetric dual-gate a-IGZO TFTs
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | A physical channel-potential and drain-current model for asymmetric dual-gate a-IGZO TFTs | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | A physical channel-potential and drain-current model for asymmetric dual-gate a-IGZO TFTs | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2019,（6） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 180-182 | |
| 页数 | 3页 | 分类号 | TN321.5 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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A physical channel-potential and drain-current model for asymmetric dual-gate a-IGZO TFTs
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