GaN功率模块加速寿命试验设计

• 作者: 刘荣军 杨强 王振亚 许悦
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 论述
• 页码范围: 346-347
• 页数: 2页
• 分类号: TN303
• 字数: 1850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4222.2019.07.215

摘要

GaN功率器件以宽能带隙、高击穿电压、高功率密度和高增益以及更高的沟道结温特性,正逐步被市场所接收,但GaN器件的可靠性还没有得到充分评估和认证,亟需开展可靠性评价工作.基于此,本文设计了GaN功率器件温度加速寿命测试平台,对已经研制的GaN功率模块进行了温度加速寿命测试.通过试验结果计算的GaN功率模块的平均失效时间(MTTF)可达200万h,表明设计的GaN功率模块具备长期高可靠工作性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许悦	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	32	3.0	5.0
2	杨强	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	21	2.0	4.0
3	刘荣军	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	15	2.0	3.0
4	王振亚	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	5	1.0	2.0