多芯片并联压接式IGBT中压力不均对电流分布的影响分析

• 作者: 李辉 李金元 杜耀婷 王晓 赖伟 邓真宇 陈民铀
• 来源期刊: 智能电网(汉斯)
• 学科: 工学
• 关键词: 压接式IGBT 压力不均 并联不均流 电流分布
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 67-73
• 页数: 7页
• 分类号: TN3

摘要

压接式IGBT器件作为柔直输电换流装备的核心元件,在长时间尺度下因制造工艺、器件老化等因素,器件内部出现压力分布不均的现象,进而造成并联子模块间电流分布不均,使部分子模块可靠性降低,老化加快。为研究压接式IGBT中压力差异与电流分布不均匀程度间的关系,本文分析了压力分布导致器件内部模块并联不均流的原因;并开展不同压力差异下的并联实验,获得了不同压力差异下的电流分布数据。通过对实验结果的分析,明确了压力差异与电流分布差异之间的关系,为探究压接式IGBT的优化设计及老化失效演变提供参考。