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三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究
三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究
作者:
崔万照
张娜
曹猛
王瑞
胡天存
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
二次电子发射
规则形貌
二次电子产额
二次电子能谱
出射角分布
摘要:
通过人工加工出特定的表面形貌来调控材料的二次电子发射特性已在诸多领域得到应用.规则表面形貌易于揭示抑制规律和影响机制对二次电子发射特性的影响,同时采用光刻、等离子刻蚀等工艺可以较好地实现特定设计的规则形貌,因此,在抑制微放电的研究初期或原理性试验验证过程中多采用定制的规则表面形貌.基于提出的电子与表面形貌相互作用的多代模型,以三维圆柱孔为例,采用蒙特卡罗方法系统研究了三维规则表面形貌的深宽比、占空比等参量影响二次电子产额、二次电子能谱以及出射角分布的规律.研究发现:规则形貌的深宽比越大,能谱展宽越强烈,形貌对出射角的选择性越强,二次电子产额的抑制效果越好,但该抑制效果存在饱和效应.在形貌不发生交叠时,增加占空比,可有效降低二次电子产额,由于圆柱孔出射电子占比较少,二次电子能谱与出射角分布接近于平面.所获得的三维规则表面形貌的二次电子发射特性对于全面评估其对微放电效应的影响提供了参考.
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收拢表面
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数值模拟
绝缘材料二次电子发射系数的测量及其影响因素研究进展
绝缘材料
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二次电子
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文献信息
篇名
三维规则形貌影响下的二次电子发射特性研究
来源期刊
中国空间科学技术
学科
航空航天
关键词
二次电子发射
规则形貌
二次电子产额
二次电子能谱
出射角分布
年,卷(期)
2020,(3)
所属期刊栏目
航天器微波技术专栏
研究方向
页码范围
1-7
页数
7页
分类号
V419+.2
字数
4593字
语种
中文
DOI
10.16708/j.cnki.1000-758X.2020.0025
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王瑞
中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室
74
501
12.0
19.0
3
曹猛
西安交通大学物理电子与器件教育部重点实验室
25
109
6.0
9.0
6
张娜
中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室
11
137
7.0
11.0
7
崔万照
中国空间技术研究院西安分院空间微波技术重点实验室
43
169
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研究主题发展历程
节点文献
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规则形貌
二次电子产额
二次电子能谱
出射角分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国空间科学技术
主办单位:
中国空间技术研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-758X
CN:
11-1859/V
开本:
大16开
出版地:
北京市9622信箱
邮发代号:
创刊时间:
1981
语种:
chi
出版文献量(篇)
1605
总下载数(次)
4
总被引数(次)
10592
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