Co掺杂浓度对SiC薄膜磁性能的影响

• 作者: 周小东 周思华 孙现科 郭艳花
• 来源期刊: 河南理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC薄膜 Co掺杂 铁磁性 掺杂缺陷
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 力学·土木·材料
• 页码范围: 152-156
• 页数: 5页
• 分类号: TB303
• 字数: 2573字
• 语种: 中文

摘要

为了研究掺杂元素Co对SiC薄膜磁性影响,采用磁控溅射技术制备了不同Co含量的SiC薄膜.采用XRD、X光电子能谱和理性质测试系统对薄膜结构、成分和磁性进行表征.分析表明,薄膜具有3 C-SiC晶体结构,随着掺杂元素Co增加,3 C-SiC晶体特征峰向小角度移动.掺杂元素以Co2+形式存在,形成CoSi第二相化合物,随着Co掺杂浓度增加,CoSi第二相化合物含量增多.磁性测试显示,掺有Co元素的SiC薄膜在室温下具有铁磁性,随着Co含量增加,薄膜的饱和磁化强度先增大后减小.掺杂Co原子进入SiC晶格后形成的缺陷是产生薄膜磁性的原因,属于掺杂缺陷诱导产生的铁磁性,而第二相化合物CoSi抑制了薄膜的铁磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周小东	周口师范学院机械与电气工程学院	20	26	3.0	4.0
2	周思华	周口师范学院物理与电信工程学院	24	55	4.0	7.0
3	郭艳花	周口师范学院机械与电气工程学院	16	42	3.0	6.0
4	孙现科	周口师范学院物理与电信工程学院	6	4	1.0	2.0