TDI图像传感器横向抗晕栅极电压与满阱容量关系研究

• 作者: 周泉 常玉春 曲杨 王欣洋
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 时间延时积分 CMOS 光晕 横向抗晕栅 满阱容量
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 169-172
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.004

摘要

时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域.然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果.首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常玉春	大连理工大学微电子学院	4	25	1.0	4.0
2	曲杨	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
6	王欣洋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	1	0	0.0	0.0
10	周泉		1	0	0.0	0.0