离子注入型硅掺砷阻挡杂质带长波红外探测器的研究

• 作者: 戴宁 李宁 王超 石旺舟 胡古今
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阻挡杂质带 长波红外探测器 硅掺砷 离子注入工艺
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 290-294
• 页数: 5页
• 分类号: TN36
• 字数: 3503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2020.03.004

摘要

研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器.在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×1013 cm?Hz1/2/W.性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	304	5119	38.0	59.0
2	戴宁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	55	315	11.0	15.0
3	王超	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	278	2990	26.0	41.0
7	石旺舟	上海师范大学数理学院物理系	17	21	3.0	3.0
8	胡古今	上海师范大学数理学院物理系	1	0	0.0	0.0