p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究

• 作者: 刘宁炀 左秉鑫 曾昭烩 李云平 李叶林 李祈昕 赵维 陈志涛
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 电极材料 欧姆接触 热稳定性 倒装紫外LED芯片
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 242-246
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.02.019

摘要

研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率.与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10 min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4 Ω·cm2)和高反射率(大于80％@365 nm).研究获得的优化Pd/NiO层厚度为1 nm/2 nm,此时的Pd/NiO/Al/Ni反射电极既能形成良好的欧姆接触,拥有低比接触电阻率,又能减少对紫外光的吸收,保持高反射率.研究表明适当的NiO层厚度能够有效地防止热处理过程中上层A1金属向p-GaN表面层的渗入,对于制备高质量的A1基反射电极至关重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵维		4	4	1.0	2.0
2	陈志涛		10	29	3.0	4.0
3	刘宁炀		7	9	2.0	2.0
4	左秉鑫	中南大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
8	曾昭烩		1	0	0.0	0.0
9	李祈昕		1	0	0.0	0.0
10	李叶林		1	0	0.0	0.0