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宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状
宽禁带半导体材料SiC和GaN的研究现状
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摘要：
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SiC半导体材料和工艺的发展状况
碳化硅器件
器件工艺
半导体材料
一种GaN宽禁带功率放大器的设计
宽禁带半导体
功率放大器
附加效率
GaN
宽禁带功率半导体器件技术
氮化镓
功率器件
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军民两用技术与产品
主办单位：
航天信息中心
中华人民共和国工业和信息化部
出版周期：
月刊
ISSN：
1009-8119
CN：
11-4538/V
开本：
大16开
出版地：
北京海淀区阜城路16号412室《军民两用技术与产品》编辑部
邮发代号：
82-17
创刊时间：
1988
语种：
chi
出版文献量（篇）
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