CZTSSe薄膜与Mo背电极接触特性的数值分析

• 作者: 庄楚楠 林俊辉 许佳雄
• 来源期刊: 广东工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: CZTSSe Mo(S Se)2界面层 背电极接触 I-V特性 AFORS-HET软件
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 页码范围: 106-113
• 页数: 8页
• 分类号: TN36
• 语种: 中文
• DOI: 10.12052/gdutxb.190104

摘要

为分析CZTSSe薄膜太阳能电池的背电极接触特性, 采用AFORS-HET(Automat for Simulation of HETerostructures) v2.5软件对CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo结构进行数值分析, 研究CZTSSe的带隙和电子亲和能、Mo(S,Se)2界面层的厚度以及带隙对CZTSSe与Mo电极的电学接触特性的影响。结果表明CZTSSe的带隙和电子亲和能的增大, 使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo的欧姆接触减弱并向整流接触转变; 对于带隙较窄的CZTSSe, 加入界面层使CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的欧姆接触转变为整流接触, 随着界面层厚度的增大, 整流接触逐渐减弱; 对于带隙较宽的CZTSSe, 加入2 nm的界面层使得CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成的整流接触增强, 但随着界面层厚度的继续增大, 整流接触减弱。当CZTSSe的带隙和电子亲和能较小时, CZTSSe/Mo(S,Se)2/Mo形成欧姆接触, 控制界面层厚度为100 nm左右可以得到最优的电学接触特性。