厚膜组装VDMOS在功率循环下的失效特征和机理

• 作者: 何超 吕红杰 江国栋 汪张超
• 来源期刊: 电子质量
• 学科: 工学
• 关键词: 厚膜组装 封装失效 功率循环 失效机理分析 VDMOS
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2600字
• 语种: 中文

摘要

该文以厚膜组装VDMOS为对象进行功率循环试验,采用X射线、切金相剖面分析和热阻分析等方法对试验后样品进行了对比.分析厚膜组装各封装界面随时间的退化的特征,并分析了其退化机理.其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何超	中国电子科技集团公司第四十三研究所	13	17	2.0	3.0
2	吕红杰	中国电子科技集团公司第四十三研究所	9	4	1.0	2.0
3	江国栋	中国电子科技集团公司第四十三研究所	6	0	0.0	0.0
4	汪张超	中国电子科技集团公司第四十三研究所	16	4	1.0	2.0