掩模版复印工艺图形畸变分析与改进

• 作者: 周文 束名扬 陈栋豪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 掩模版 复印工艺 图形畸变 衍射 光刻
• 年，卷（期）: 2020,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 681-684
• 页数: 4页
• 分类号: TN389
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2020.05.015

摘要

批量化、低成本的掩模版复印工艺常被用于LED领域.在微米级图形的掩模版复印工艺中,受玻璃基板平面度的影响,光学衍射效应会导致图形发生畸变.为消弭复印工艺中的图形畸变,从光学衍射理论展开分析,提出通过调整光刻曝光剂量和光刻胶层厚度来提升掩模版复印工艺水平的方法.实验实现了4μm圆形图形掩模版的复印制作,结果表明该方法可以显著提升微米级图形的掩模版复印工艺水平,降低掩模版的制作成本.