5V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计

• 作者: 彭时秋 陈正才 黄龙
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿电压 离子注入 退火
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 66-68
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1014

摘要

通过设计5V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响.通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1V,各项动态参数均满足产品要求.完成了5V双向TVS器件击穿电压对称性的优化,各项参数均满足产品要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄龙		2	2	1.0	1.0
2	陈正才		1	0	0.0	0.0
3	彭时秋		1	0	0.0	0.0