非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究

• 作者: 安恒 常思远 文轩 曹洲 杨生胜 王鷁 银鸿
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 总剂量效应 理论分析 辐照试验 失效机理
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 65-71
• 页数: 7页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502

摘要

存储器作为航天器电子系统不可或缺的一部分,在航天应用中需要有良好的抗辐射能力.阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是一种新型的非易失性半导体存储器,性能优良,但对其辐射效应的研究较少.本文侧重于在理论分析的基础上,结合60Coγ射线辐照试验得到的结果对RRAM的总剂量效应失效机理进行分析研究.首先,通过对RRAM中单个MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管总剂量效应的分析,提出器件失效机理的两个假设,然后对写入不同初始数据的器件进行有针对性的辐照试验,对不同累积剂量时存储器的数据读取功能和静态工作电流进行测量,统计得到的结果验证了假设的正确性.研究结果表明:RRAM辐照敏感单元为存储阵列,RRAM读取功能失效是由于MOS管在辐照下产生漏电流,导致读电路的电平输出状态改变而引起的.