工艺拉偏的芯片扫描测试方法研究

• 作者: 林良飞
• 来源期刊: 福建电脑
• 学科: 工学
• 关键词: 扫描测试 MOS SOC 拉偏实验
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 47-49
• 页数: 3页
• 分类号: TN47
• 字数: 1708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16707/j.cnki.fjpc.2020.03.013

摘要

本文提出了一种基于MOS工艺拉偏实验的大型SOC(System-On-Chip)的扫描测试方法的研究.针对于硅CMOS工艺进行参数拉偏,测试不同参数组合下芯片扫描测试的结果,得出芯片扫描测试可通过的工艺窗口,给大型SOC量产工艺条件提供参考.实验表明通过拉偏MOS工艺的晶圆进行测试的方法,可以更加准确的掌握芯片的工艺范围,并在实际生产中可以有效地减少芯片的过载率,得到更多可用的芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林良飞		1	0	0.0	0.0