BaAl2-2x Zn2x Si2 O8陶瓷结构与微波介电性能研究

• 作者: 丁士华 宋天秀 张云 朱惠 李超
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: BaAl2Si2O8 氧空位 单斜相 晶体结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 67-72,78
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0327

摘要

采用固相烧结法,按化学计量比合成了BaAl2-2x Zn2x Si2 O8(x=0,0.25％,0.5％,0.75％,1％,1.5％)陶瓷.研究了不同Zn2+掺杂量对BaAl2 Si2 O8(BAS)系微波介质陶瓷晶体结构和介电性能的影响.结果表明:Zn2+取代Al3+产生氧空位可以有效促进BAS由六方相转变为单斜相,将BAS陶瓷的烧结温度降低至1350℃,并改善BAS陶瓷样品的密度、品质因数(Q×f)及谐振频率温度系数(τf).当x=0.75％,烧结温度为1350℃时,可获得综合介电性能较好的BAS陶瓷,其介电性能为:εr=6.67,Q×f=46226 GHz,τf=-25.21×10-6/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华		111	243	8.0	10.0
2	宋天秀		88	200	7.0	10.0
3	李超		14	11	1.0	3.0
4	朱惠		4	0	0.0	0.0
5	张云		11	4	1.0	1.0