多芯片并联压接式IGBT中温度不均对电流分布的影响

• 作者: 李辉 李金元 杜耀婷 王晓 赖伟 邓真宇 陈民铀
• 来源期刊: 中国电力
• 关键词: 压接式IGBT 温度分布 电流分布 并联 均流
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 国家"十三五"智能电网重大专项专栏:(三)高压大功率IGBT及应用技术专栏
• 页码范围: 10-17
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.11930/j.issn.1004-9649.202004065

摘要

多芯片并联的压接式IGBT器件是柔性直流输电设备中的关键部件,因制造工艺、回路寄生参数和热耦合问题使得器件内部应力分布不均,造成器件不均匀老化,使得内部温度不均程度加剧,进而使得电流分配不均.围绕不同温度差异下导致的电流分布不均问题展开研究.首先,对造成IGBT器件并联不均流的原因以及温度对不均流特性的作用进行分析.然后,利用单芯片压接式IGBT器件并联模拟多芯片器件内部的温度分布不均情况,进行温度分布不均匀程度对电流分配影响的实验.最后,通过实验验证并联器件间温度差异与不均流程度的关系.所提方法为提高器件的运行可靠性和对压接式IGBT失效机理认知奠定基础.