氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展

• 作者: 张育民 徐俞 徐琳 徐科 王建峰 王明月 胡晓剑 蔡德敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化物气相外延生长 氮化镓 晶体生长 掺杂 光电性能 缺陷
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1970-1983
• 页数: 14页
• 分类号: O78|TN304
• 语种: 中文

摘要

氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景.目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展.本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用.最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望.