氮化镓单晶的液相生长

• 作者: 任国强 刘宗亮 徐科 李腾坤
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓单晶 液相法 氨热法 助熔剂法
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 2024-2037
• 页数: 14页
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料.除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、MBE(分子束外延))生长GaN单晶外,液相法(包括氨热法和助熔剂法)近几年在制备GaN单晶方面取得了较大的进展.本文介绍了氨热法和助熔剂法的生长原理、装备特点及生长习性;综述了两种液相生长方法的研究历程及研究进展,并对液相法生长GaN单晶的发展趋势及主要挑战进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任国强	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	37	347	11.0	17.0
2	徐科	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	26	91	5.0	9.0
3	刘宗亮	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	2	1	1.0	1.0
4	李腾坤	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	0	0.0	0.0