碲化锗场效应晶体管的制备及电学性能

• 作者: 冯奕钰 封伟 张鑫 梁雪静 王宇 赵付来
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 碲化锗 二维材料 微机械剥离法 场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2020,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2032-2037
• 页数: 6页
• 分类号: O649
• 语种: 中文
• DOI: 10.7503/cjcu20200311

摘要

采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于二维碲化锗(2D-GeTe)纳米材料的场效应晶体管(FET),并测定了其电学性能.结果表明,剥离所得GeTe纳米材料具有良好的结晶性,光学带隙为1.98 eV,属于p型半导体;该场效应晶体管展现出了6.4 cm2·V?1·s?1的载流子迁移率和670的开关电流比的良好电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇		24	134	8.0	10.0
2	张鑫		17	338	7.0	17.0
3	封伟		31	148	7.0	11.0
4	冯奕钰		16	46	5.0	6.0
5	赵付来		1	0	0.0	0.0
6	梁雪静		1	0	0.0	0.0