L频段GaN内匹配功率放大器研制

• 作者: 高岩 江肖力 韩威 兰宝岩
• 来源期刊: 电子测量技术
• 关键词: GaN 功率放大器 内匹配 Microwave office
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|Research and Design
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TN722
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.2004949

摘要

针对射频收发前端对功放高效率、大功率的需求,采用内匹配技术,设计并实现了一款工作在0.9?1.1 GHz的高功率内匹配放大器.该放大器基于Qorvo公司生产的栅宽5 mm的GaN HEMT芯片,利用晶体管厂家提供的器件模型,通过使用Microwave office软件进行大信号负载牵引和源牵引仿真,得到使用频段内的最佳源阻抗值和负载阻抗值;进行了匹配电路设计,并对利用理论计算与使用Microwave office软件实现阻抗匹配进行了较为详细的介绍.加工实测结果表明,在20％相对带宽,漏极电压28 V,输入信号为连续波(CW)的条件下,峰值功率大于43.2 dBm,功率附加效率大于47％、功率增益大于16 dB.显示了GaN功率器件适用于宽带和高功率、高效率的工作性能,应用前景广阔.