硅基芯片TRL校准件的设计与制作

• 作者: 甄建宇 陈娜
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基芯片 TRL校准技术 去嵌入
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 23-25,30
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.20.006

摘要

为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术.根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型.在20 GHz～30 GHz高频应用中,验证了模型的准确性.实际测试结果表明该校准件达到了预期效果,仿真值与实测值拟合一致性好.