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摘要:
文中设计了一种基于SOI材料的E型膜结构无引线倒封装压力芯片.SOI材料的选用解决了高温环境下漏电流的问题,可以满足目前航空发动机对于高温使用环境的要求.E型膜结构与传统C型膜结构相比解决了灵敏度与线性度无法同时满足需求的难题.通过无引线倒封装工艺,实现了传感器小型化、轻量化的设计需求.设计的压力传感器量程为0~1.5 MPa,400℃输出灵敏度为80 mV/MPa,线性度0.17%FS,综合精度0.18%FS.传感器最大外廓尺寸为S10 mm×20 mm,传感器质量为15.5 g.
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关键词云
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文献信息
篇名 基于SOI的E型膜结构耐高温压力芯片的设计与制造
来源期刊 仪表技术与传感器 学科 工学
关键词 耐高温压力传感器 绝缘体上硅SOI E型可动膜片 无引线倒封装 高精度 小体积
年,卷(期) 2021,(1) 所属期刊栏目 传感器技术
研究方向 页码范围 20-24
页数 5页 分类号 TP212
字数 语种 中文
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耐高温压力传感器
绝缘体上硅SOI
E型可动膜片
无引线倒封装
高精度
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仪表技术与传感器
月刊
1002-1841
21-1154/TH
大16开
沈阳市大东区北海街242号
8-69
1964
chi
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