TFT-LCD四次光刻工艺中的光刻胶剩余量

• 作者: 蒋雷 黄学勇 刘良军 李广圣 王尖 李向峰 慕绍帅 邵博
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 四次光刻 半光刻技术 光刻胶膜残量 均一性
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 258-264
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJLCD.2020-0151

摘要

在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要.因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次光刻工艺中,影响半光刻制程中光刻胶剩余量的关键因子,通过全因子实验设计,得到了预烘温度、减压干燥的快抽时间和显影时间的最优组合,再通过单因子实验优化出最优曝光量.结果表明,该实验设计可有效优化半光刻后光刻胶的剩余量及均一性,并获得理想的实验条件组合.当预烘温度、减压干燥快抽时间、显影时间以及曝光量分别为115℃、10 s、52 s和67 mJ/cm2时,光刻胶剩余量可以控制在0.51μm,线宽为11.17μm,均一性良好(<5％).