基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在有效质量近似下,通过变分法得到应变纤锌矿ZnSnN2/InxGa1-xN柱形量子点的带隙,进而利用细致平衡理论,研究了内建电场影响下柱形量子点的光电转换效率随量子点半径、高度和In组分的变化关系.结果表明:量子点的光电转换效率随着量子点半径、高度以及In组分的增加单调增加,并且内建电场会使得转换效率明显降低.
推荐文章
纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模
InxGa1-xN/GaN
界面声子
量子阱
MOCVD生长InxGa1-Xn薄膜的表征
MOCVD
InxGa1-xN
薄膜
缓冲层
InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象
InxGa1-xN合金薄膜
表面分凝
Ⅴ/Ⅲ比
InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金
氮化铟
SW参数
InGaN量子阱
富铟团簇
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 应变纤锌矿ZnSnN2/InxGa1-xN柱形量子点的光电转换效率
来源期刊 内蒙古大学学报(自然科学版) 学科
关键词 柱形量子点 内建电场 转换效率
年,卷(期) 2021,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 129-135
页数 7页 分类号 O471.3
字数 语种 中文
DOI 10.13484/j.nmgdxxbzk.20210204
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (2)
共引文献  (17)
参考文献  (19)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1961(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1976(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1985(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1987(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1992(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1993(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1998(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2001(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2002(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2004(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2006(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2013(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2016(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2018(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2019(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2021(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
柱形量子点
内建电场
转换效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
内蒙古大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-1638
15-1052/N
大16开
呼和浩特市赛罕区大学西街235号
16-67
1959
chi
出版文献量(篇)
2696
总下载数(次)
6
总被引数(次)
13052
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导