高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究

• 作者: 堵美军 梁国正
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 芯片键合 粘合促进剂 固化度 芯片键合强度制程能力指数
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 封装
• 页码范围: 63-69
• 页数: 7页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

高键合强度与高生产率的银浆体系是芯片实现小型化、轻薄化的基础,本文研发了一种高芯片键合强度的新型银浆体系(银浆B),通过五元素三水平(53)正交实验,探讨了银浆量、点胶高度、芯片键合力、银浆固化时间、固化温度等五因素对芯片键合强度及结构的影响;以及基于实验设计(DOE)和响应曲面分析(RSM)等统计方法,分析了芯片键合的过程,优化了芯片键合过程的固化时间、固化温度和银浆量等参数.采用银浆B体系以及优化的制程参数,使得芯片键合强度制程能力指数(Cpk)从0.56提高到2.8.