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摘要:
忆阻器是一种非线性电子元件,可以作为混沌系统的非线性部分,为了提高混沌系统的信号随机性和复杂度,构建了一个磁控二氧化钛忆阻混沌系统.从系统的对称性、耗散度、平衡点稳定性、Lyapunov指数谱和维数、功率谱、庞加莱截面等方面来研究该混沌系统的内在动力学特性.采用双参数影响下的混沌图和复杂度分析方法得到了系统的最优参数范围,同时搭建了基于Multisim的忆阻混沌电路,采用改进型模块化设计来产生混沌信号.实验仿真结果表明,该忆阻混沌系统在最优参数范围下的多稳态共存特性显著,具有丰富的动力学行为,模拟电路验证了该忆阻混沌系统的可实现性,为进一步研究忆阻器混沌系统在图像、音频、文本保密处理中的应用提供了实验基础.
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文献信息
篇名 磁控二氧化钛忆阻混沌系统及其电路设计
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 忆阻混沌系统 混沌图 复杂度 多稳态共存 Multisim电路
年,卷(期) 2021,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 77-84
页数 8页 分类号 TP273
字数 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1530
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研究主题发展历程
节点文献
忆阻混沌系统
混沌图
复杂度
多稳态共存
Multisim电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
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