二维WSe2场效应晶体管光电性能

• 作者: 夏风梁 石凯熙 赵东旭 王云鹏 范翊 李金华
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 二维半导体材料 过渡金属硫族化物 二硒化钨 光电探测
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理|Device Fabrication and Physics
• 页码范围: 257-263
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20200374

摘要

自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究.过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注.本文研究了三层二硒化钨(WSe2)纳米片的光电性能.利用范德华力将WSe2转移到SiO2/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe2场效应晶体管,其载流子迁移率为3.42 cm2/(V·s).WSe2场效应晶体管在630 nm波长下探测器响应度为0.61 A/W,器件的光响应恢复时间为1900 ms.