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摘要:
本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade的器件.该器件对于254 nm和365 nm的光照均具有良好的响应特性,在254 nm光照条件下的光响应度可达44.8 A/W,可以应用于光电探测领域.
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文献信息
篇名 IGZO薄膜晶体管的制备及其光电性能
来源期刊 吉林建筑大学学报 学科
关键词 IGZO 磁控溅射技术 薄膜晶体管 光电探测
年,卷(期) 2021,(4) 所属期刊栏目 信息科技|Information science & technology
研究方向 页码范围 79-82
页数 4页 分类号 TN321
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-0185.2021.04.013
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
IGZO
磁控溅射技术
薄膜晶体管
光电探测
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
吉林建筑大学学报
双月刊
1009-0185
22-1413/TU
大16开
长春市新城大街5088号
1984
chi
出版文献量(篇)
2717
总下载数(次)
7
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