IGZO薄膜晶体管的制备及其光电性能

• 作者: 付钰 高晓红 孟冰 王森 孙玉轩
• 来源期刊: 吉林建筑大学学报
• 关键词: IGZO 磁控溅射技术 薄膜晶体管 光电探测
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 信息科技|Information science & technology
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TN321
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0185.2021.04.013

摘要

本文采用磁控溅射技术沉积InGaZnO(IGZO)薄膜,制备具有底栅结构的薄膜晶体管(TFT).测试并分析IGZO TFT的电学性能和在不同波长紫外光照条件下的光电响应性能,在VDS为10 V时,得到饱和迁移率为173 cm2/Vs,Ion/Ioff达到108,Von为10.5 V,亚阈值摆幅大约为5 V/decade的器件.该器件对于254 nm和365 nm的光照均具有良好的响应特性,在254 nm光照条件下的光响应度可达44.8 A/W,可以应用于光电探测领域.