多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究

• 作者: 孙建洁 张可可 许帅 张明
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 多晶硅发射极晶体管 放大系数 界面氧化层 退火
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0407

摘要

通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6～0.8 nm.同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30％改善至20％,片间均匀性从12％改善至9％,显著提升了产品的成品率.