单粒子翻转效应的FPGA模拟技术

• 作者: 陈鑫 施聿哲 白雨鑫 陈凯 张智维 张颖
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 单粒子效应 单粒子翻转 超大规模集成电路 FPGA模拟 故障注入
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0911

摘要

随着半导体工艺节点遵循摩尔定律逐渐缩小,空间环境中辐射诱发的单粒子效应(Single Event Effect,SEE)对集成电路造成的影响却在不断增加.单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)效应是最为普遍的单粒子效应,表现为电路存储单元和时序逻辑中的逻辑位翻转,在集成电路中常采用故障注入技术来模拟单粒子翻转效应.因此,重点研究了目前较为常用的3种故障注入技术,分别是现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)重配置,扫描链和旁路电路,分析了各自的优势和不足,并对未来的发展趋势进行了预测.