剪切形变下掺杂及缺陷对MoS2电子结构的影响

• 作者: 姜艳 刘贵立 秦汉起 韩瑞麒 王佼 沈杰
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 关键词: 剪切 掺杂 缺陷 MoS2 电子结构
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科|Interdisciplinary Subject with Atomic and Molecular Physics
• 页码范围: 131-135
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.19855/j.1000-0364.2021.066001

摘要

本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS2电子结构的影响.发现:剪切形变下,MoS2+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS2+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS2+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS2模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构.