基于电学法对二维多芯片组件的热阻矩阵研究

• 作者: 汪张超 刘安 吕红杰
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 多芯片组件 热阻矩阵 半导体技术 VDMOS
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 实验室特写|Featured Lab
• 页码范围: 112-116
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2021.07.033

摘要

高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应.该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度.并通过红外热像试验验证模型计算的结果.基于热阻矩阵模型分析不同条件下的芯片温升.