基于ANSYS的IGBT模块健康状态研究

• 作者: 史明明 葛雪峰 任政赕 王宁会
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管模块 可靠性 键合线 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件和电力电子系统的可靠性|Reliability of Power Electronic Devices and Power Electronic Systems
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.12.017

摘要

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的老化失效会对电力电子系统的可靠性造成不良影响,其中键合线疲劳是IGBT模块老化失效的主要原因之一.为探究键合线疲劳对IGBT模块的影响,通过ANSYS有限元仿真,定量分析键合线脱落与IGBT模块健康状态之间的联系,结果表明键合线脱落不仅会使IGBT模块的结温升高,键合线受到的热应力增大,而且还会增大芯片下方的焊料层等效塑性应变,加速IGBT模块的失效.