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一种HfOx阻变存储器的1T1R单元设计
一种HfOx阻变存储器的1T1R单元设计
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摘要：
本文基于UMC 28nm工艺和HfOx体系的RRAM器件进行1T1R存储单元设计,采用低压NMOS控制,提高1T1R单元的集成度,降低操作电压,以突破传统非易失性存储器闪存所面临的设计瓶颈,并最终流片验证.设计和测试结果表明最小存储单元面积达0.053um2,操作电压控制在1.8V以内.
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电子世界
主办单位：
中国电子学会
出版周期：
半月刊
ISSN：
1003-0522
CN：
11-2086/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市
邮发代号：
2-892
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
36164
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