超大规模集成电路内部单粒子翻转效应仿真

• 作者: 王红敏 董涛 宁生科
• 来源期刊: 计算机仿真
• 关键词: 超大规模集成电路 内部单粒子 翻转效应 仿真分析
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 仿真应用研究
• 页码范围: 277-281
• 页数: 5页
• 分类号: TP163.6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9348.2021.08.055

摘要

针对超大规模集成电路特征尺寸的逐渐减小,对空间辐射环境越加敏感,从而引发了单粒子翻转效应,造成程序运行出现错误的问题,研究超大规模集成电路内部单粒子翻转效应,并提出抗辐射加固策略.研究以仿真的形式进行,首先对单粒子翻转效应物理机制进行了分析,为后续研究提供指导方向,然后选择被测器件,搭建效应测试平台,设置测试条件以及阐述单粒子翻转效应仿真测试方法.结果表明:脉冲激光的能量越大,单粒子翻转概率越高;只有激光光束照射到超大规模集成电路芯片有源区时,才可获得最低和最大的翻转截面;激光脉冲注量对单粒子翻转截面测试有影响;存储数据和测试模式对单粒子翻转效应测试都无影响.