抗PID多晶硅电池的磷扩散工艺改进

• 作者: 黄爽鑫 肖慧萍 曹家庆 李文博
• 来源期刊: 江西化工
• 关键词: 电势诱导衰减 三次通源磷扩散 方块电阻 峰值功率衰减
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 综述与专论
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-3103.2022.01.001

摘要

电池组件在高电势差的影响下易发生电势诱导衰减(PID).开发一种三次通源磷扩散工艺,可在较低方阻(70Ω～75Ω)下获得高效率.可通过调节温度、时间、扩散气体的流量等来获得预期的电池方阻.三次通源扩散工艺的最佳工艺参数为:扩散中心温度为830℃、氧气流量为1700 sccm、扩散氮的流量为2300 sccm、通源时间和再分布时间分别为250 s和700 s.该法制备的电池所形成的组件在(85℃+85％RH+负1000V+96H)条件下峰值功率衰减了0.62％,满足峰值功率变化小于5％的抗PID要求.