关于热辐射反射环优化直拉单晶硅生长的模拟研究

• 作者: 王利伟
• 来源期刊: 科学技术创新
• 学科: 物理学
• 关键词: CZ(Czochralski)法 单晶硅生长 热辐射 反射环 CGSim
• 年，卷（期）: 2022,（10）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2022.10.014

摘要

基于对CZ法单晶硅生长热物理过程的分析,本文针对其传热过程进行优化,创造性的提出可以提高直拉单晶生长速度的热辐射反射环.通过CGSim软件的长晶模拟研究,证明反射环结构具有较好的优化单晶棒传热的效果.本文中模拟研究的案例显示,将文中所提出的反射环结构应用在当前炉型结构中时,拉速提高的潜力在15％左右.