数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响

• 作者: 宇慧平 安国平 王敬 隋允康
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉单晶硅 自然对流 数值模拟
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 696-701,695
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.006

摘要

在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大.本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统.数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关.当Gr＞108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合, 随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	隋允康	北京工业大学机电学院	183	2359	26.0	41.0
2	宇慧平	北京工业大学机电学院	38	239	9.0	13.0
3	安国平	北京工业大学机电学院	19	166	7.0	12.0
4	王敬		16	83	5.0	8.0