基于背面PEM/OBIRCH的集成电路失效定位 研究

• 作者: 曾海威 秦杰 邝贤军 阮泳嘉 陈选龙
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 学科: 工学
• 关键词: 光发射显微镜;光致电阻变化;集成电路;失效分析
• 年，卷（期）: 2025,（6）
• 页码范围: 101-105
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

在超大规模集成电路失效分析中，由于高密度金属化的阻挡，运用正面的光发射显微镜/光致电阻变化（PEM/OBIRCH）定位技术无法进行精确、快速的失效定位。在此前提下，通过对PEM/OBIRCH的技术原理进行综述，介绍了背面PEM/OBIRCH定位技术，从原理上阐述了背面PEM/OBIRCH定位技术相较于正面PEM/OBIRCH定位技术的优劣。此外，通过对3种不同器件的案例研究，分别展现其正背面PEM/OBIRCH定位技术的结果，进一步表明背面PEM/OBIRCH定位技术能更为有效地展现样品的失效位置，特别是适用于氧化层缺陷及PN结击穿等失效机理的定位。