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电子材料快报期刊
出版文献量(篇)
576
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电子材料快报
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主办单位:
天津电子材料研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
月刊
邮编:
300192
地址:
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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1.
GaN和GaPN混晶
作者:
一凡
刊名:
电子材料快报
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年7期
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2.
高热稳定铁电/(La,Sr)2CuO4异质结
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未休
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年7期
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3.
超薄多孔硅膜的制备和特性
作者:
未休
刊名:
电子材料快报
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4.
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作者:
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电子材料快报
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5.
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作者:
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电子材料快报
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年11期
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6.
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作者:
一凡
刊名:
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7.
用LPE在预沉积Al的GaAs(100)上溶液生长InGaAlP
作者:
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刊名:
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8.
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作者:
云长
刊名:
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9.
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作者:
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刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
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10.
φ300mm硅基板实用化课题
作者:
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刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年9期
摘要:
11.
Ba3Ln3Ti5Nb5O30(Ln=La,Nd)陶瓷
作者:
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刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年9期
摘要:
12.
P型ZnSe的氮掺杂及其载流子的补偿
作者:
徐永宽
刊名:
电子材料快报
被引次数:
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发表期刊:
年9期
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13.
荧光颜料与涂料
作者:
一凡
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年4期
摘要:
14.
Ⅲ—(N,Ⅴ)混晶半导体
作者:
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刊名:
电子材料快报
被引次数:
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摘要:
15.
掺硼金刚石薄膜可作为单离子探测器窗口材料
作者:
郝建民
刊名:
电子材料快报
被引次数:
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发表期刊:
年6期
摘要:
16.
MOCVD法生长富GaSb和富InAs的GaInAsSb合金
作者:
苏宇欢
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年7期
摘要:
17.
3C—SiC的生长机理
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年8期
摘要:
18.
液体封装材料
作者:
一凡
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年1期
摘要:
19.
掺硅GaAs/Ge异质结外延
作者:
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刊名:
电子材料快报
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摘要:
20.
CZ生长Si单晶中石墨件对径向杂质分布的影响
作者:
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刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
年2期
摘要:
21.
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作者:
庶民
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电子材料快报
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22.
沉积在涂Pt RuO2电极上铁电Pb(Zr,Ti)O3薄膜的电学特性
作者:
苏宇欢
刊名:
电子材料快报
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发表期刊:
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23.
高温超导体的应用进展
作者:
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刊名:
电子材料快报
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24.
离化团束外延生长的ZnSe,CdTe和ZnTe膜的结构特性
作者:
徐永宽
刊名:
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年7期
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25.
红外器件用InSb体单晶
作者:
毕叔和
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年8期
摘要:
26.
在氢钝化Si(100)上C60膜的损伤
作者:
张忱
刊名:
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年9期
摘要:
27.
表面再构对Ⅲ—Ⅴ族半导体界面结构的影响
作者:
徐永宽
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年10期
摘要:
28.
用射频辉光放电制备高电导非掺μc—SiO:H薄膜
作者:
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29.
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作者:
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摘要:
30.
利用共掺杂方法解决P型ZnO制备中的单极性问题
作者:
岫林
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年2期
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刊名
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主编
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