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金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜
金属诱导生长
超高真空化学气相沉积
异质生长
NiSi化物
多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长
多晶Si薄膜
Si纳米线
退火温度
生长时间
光致发光
Si(001)表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点
Ge量子点
扩展的X射线精细吸收结构
互扩散
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 MEB法生长纳米结构Si/GeSi
来源期刊 电子材料快报 学科 工学
关键词 半导体 MBE法 纳米结构 Si/GeSi
年,卷(期) 1996,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-5
页数 2页 分类号 TN304.2
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
半导体
MBE法
纳米结构
Si/GeSi
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子材料快报
月刊
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
出版文献量(篇)
576
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1
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