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出版文献量（篇）
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1404
半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 本文设计了一种新型硅基ＭＥＭＳ集成光强调制型光波导加速度传感器，在同一 集成了分束器、悬臂梁、质量块、光波导、光探测器等元件，解决了光纤传感器向微型化发展时遇到的装配困难及长期稳定性差等问...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 本文对双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的工作机理进行了二维分析，给出了明确的ＢＳＩＴ从单极作用机制到双转变过程的物理图象。得到了作用机制转变时的栅压、势分布以及载流子和电场分布等的数值计算结...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应和穿通击穿电压的改进，经比较理论结果与测量数据有效好的一致性。
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35. IGBT工作特性的理论分析刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 对绝缘栅双极晶体管（ＧＢＴ）的工作特性进行了理论分析。由于ＩＧＢＴ所含的ＰＮＰ晶体管是宽基区、低增益的，因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似（ＮＱＳ），精确地...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 首先导出了这种电路中反馈元件Ｒ１与Ｒｆ的优选式，用ＰＳＰＩＣＥ软件对该电路进行了仿真验证，由此获得了一条结论以及一条推论
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 本文研究了以低压化学气相淀积方法生长 磷的一中ＰＮＰ管放大倍数的影响。给出了民实验数据，得到一个为适用于集成电路中横向ＰＮＰ管钝化膜的最佳工艺数据，在这种工艺条件下，得到ＰＳＧ膜中含磷量为...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶曾管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高分布提高２００Ｖ左右，且通态特性和动态特性保持优良。实验...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 本文总结了气体传感器中微加热器的材料、结构及热特性，列举了常见的几种微加热器，对Ｐｔ加热器和多晶Ｓｉ加热器进行比较，并在此基础上简要介绍了传感器阵列中微加热器的制作及器阵列的气敏特性。
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40. 等离子体技术在微细加工中的应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 简要介绍了等离子体和微细加工技术。叙述了等离子体技术在微细加工技术的三个主要方面－－微车图形加工、离子注入、薄膜沉积－－中的应用。
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41. 横向高压器件LIGBT的新型结构刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作为较系统的分析与对比。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1998年4期页码:摘要： 从频域上对Ｚ２０００中两种有样模式作了详细分析，并对ＤＱＰＳＫ解调时出现的Ｉ／Ｑ通道倒置作了理论上的说明。
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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