掺氮6H—SiC材料电学性质温度依赖关系测量与分析

• 作者: 王良 郑庆瑜
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 激活能 迁移率 载流子浓度 碳化硅 掺氮
• 年，卷（期）: 1998,（4）
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24

摘要

测量了７－１０００Ｋ的掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料基本电学性质，用电子性方程对载流子浓度温度倒数关系曲线进行拟合，利用化全物半导体散射机构计算了行 率。数据拟合分析得到样品的掺杂浓度、补偿浓度、杂质激光活能和载波子有效质量。分析结果表明，控制杂质能级和表观杂质激活能由补偿度和杂质浓度决定。掺氮６Ｈ－ＳｉＣ材料预期有０．０８ｅＶ、０．１２ｅＶ两个能级，当补偿杂质浓度大于较小能级浓度时，材料将由较高的能级控制

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王良		1	0	0.0	0.0
2	郑庆瑜		1	0	0.0	0.0