作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的VDMOS结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应和穿通击穿电压的改进,经比较理论结果与测量数据有效好的一致性。
推荐文章
一种600V高压超结VDMOS结构设计与优化
超结VDMOS
比导通电阻
击穿电压
结构优化
一款VDMOS半超结元胞结构的设计
特征导通电阻
栅漏电容
击穿电压
半超结
一种900 V JTE结构 VDMOS终端设计
终端
结终端扩展
缓变结
击穿电压
700 V VDMOS终端失效分析与优化设计
垂直双扩散金属氧化物半导体器件
失效分析
微光显微镜
终端结构
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 VDMOS结构击穿电压的设计与分析
来源期刊 半导体杂志 学科 工学
关键词 保护环 场板 MOSFET VDMOS 结构击穿电压
年,卷(期) bdtzz_1998,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-16
页数 5页 分类号 TN386.103
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐伟 天津理工学院自动化系 12 34 4.0 5.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1998(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
保护环
场板
MOSFET
VDMOS
结构击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体杂志
季刊
1005-3077
12-1134/TN
16开
天津市河西区陈塘庄岩峰路
1976
chi
出版文献量(篇)
478
总下载数(次)
1
论文1v1指导