VDMOS结构击穿电压的设计与分析

• 作者: 徐伟
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 保护环 场板 MOSFET VDMOS 结构击穿电压
• 年，卷（期）: bdtzz_1998,（4）
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.103

摘要

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应和穿通击穿电压的改进，经比较理论结果与测量数据有效好的一致性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐伟	天津理工学院自动化系	12	34	4.0	5.0