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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 近年来，随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展，许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法，试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜；研究了源...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 提出了一种简便易行、并与有机薄膜电致发光器件制备工艺完全兼容的工艺检测方法——覆膜加热观测法。这种方法是在器件的制备工艺过程中，同时在铟锡氧化物(ITO)电极和各层有机薄膜上覆盖一层不透气的...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 研究在液氦薄膜表面上与涟波子(ripplon)相互作用的二维电子的性质。采用线性组合算符和拉格郎日乘子法，导出了强、弱耦合两种极限情况下二维电子的有效质量。
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34. 量子盘中的三阶非线性光学极化率刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率，导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式，并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明，GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比G...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 测量了Eu3+掺杂的PbF2和H3BO3不同配比玻璃材料的吸收光谱、发射光谱及激发光谱，计算了各不同配比样品的折射率。根据稀土离子Eu3+光学跃迁矩阵元的特点，从发射光谱获得了Eu3+光学跃...
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36. 激光器稳定性分析刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 本文介绍一种分析激光器稳定性特性的线性化方程方法。由Poincaré非线性理论，首先将非线性速率方程在阈值处线性化，再由线性方程的系数矩阵的特征量给出四种稳定性类型。
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 有机聚合物的紫外漂白，经过一系列复杂的光化学反应，会使聚合物薄膜的折射率和厚度降低。在此基础上，利用金属掩模对聚合物薄膜进行选择性紫外漂白，制备出聚合物脊形条波导。紫外漂白不需要对聚合物薄膜...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示，随着In浓度的增加，GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善，低于带边的发光强度大大地减小。这...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要：
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40. Si基沉积ZnO薄膜的光谱特性刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 利用同步辐射真空紫外光研究了si基沉积ZnO薄膜的发射光谱、激发光谱及其温度依赖。首次观测到高于ZnO禁带宽度的发射带(290nm)，并初步指定其来源。
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 利用MBE生长技术，成功地在不同晶向SrTiO3(100)(111)(110)衬底上生长了GaAs薄膜，利用显微Raman和荧光光谱(PL)对此进行了研究。实验结果表明，在不同晶向SrTiO...
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42. BaFBr中O2-的发光研究刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 通过比较紫外和真空紫外光辐照前后，BaFBr以及BaFBr：O样品的发光，研究氧在光激励发光材料中所起的作用。未经辐照的样品，在240nm光激发下，BaFBr：O有峰值为330、345、54...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料，它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短，在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度，因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 对面心立方(fcc)、体心立方(bcc)和六角密堆积(hcp)三种不同结构的晶体，在假设它们的原胞中包含8个价电子并将价电子近似为自由电子的情况下，采用“自由电子气理论”和“自由电子能带模型...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 摘要：报道了对Tm，Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果，包括用UV-365型分光光度计测出单掺Tm：YVO4及Ho：YVO4吸收谱以及双掺Tm：Ho：YVO4的吸收谱；用Ar离子激光器4...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系，发现平均带阶参数Emv.av=Em-Ev.av在不同应变状态下基...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 本文研究了室温下Pr3+在Sr2SiO4中的发射光谱和激发光谱，在激发光谱中，最低激发峰位置低于1S0能级位置，属于5d态的吸收。发射光谱主要由5d→4f的跃迁构成，未观测到Pr3+的3P0...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 在共混的两种共轭聚合物中，采用分子自组装技术制备了嵌段共轭聚合物量子线的异质结构，通过室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱的研究证实了在这种嵌段共轭聚合物量子线的异质结构中存在很强的激子限制效...
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49. 白光LED面阵及其主要参数指标刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 本文主要利用白光LED单管制备了白光LED面阵，将制备的白光LED面阵与日亚公司的同类产品进行了对比。研究了不同电流条件下，亮度、流明效率、色坐标和显色指数的变化。
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50. 新有机材料的电致发光的研究刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要： 采用新合成的有机材料-硅烷衍生物作为发光物质制备了发蓝、绿光的薄膜电致发光器件。其结构为glass/ITO/PVK+SiH/Alq/Mg：Ag。分别测量了SCS-Sill，聚乙烯咔唑(PVK...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年2期页码:摘要：
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1 000℃)退火下的深能级中心.发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E...
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55. 纳米荧光粉的余辉研究刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用无机材料在室温下通过溶胶法制成了纳米ZnS:Mn荧光粉,立方晶形,平均粒径为3nm,它的橙色发光(峰值608nn,半宽75nm)亮度与同晶型(立方)的体ZnS:Mn荧光粉的亮度相同,而余辉...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 制备了Tb3+浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2O2S.由于表面态对发光的猝灭作用,Tb3+离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短.研究了5D3和5D4能级发光的浓度猝灭,发光强度与浓度...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文在超声波条件下以三甲基十六烷基溴化铵为模板剂、正硅酸乙酯为硅源合成了纳米级(10～40nm)的介孔分子筛(MCM-41),其筛孔直径在2.7nm左右.选择Eu(Phen)4为客体,纳米级...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文采用固相反应法,合成了一系列掺Sm3+的Na3Law(BO3)3[Na3(La1-xSmx)2(BO3)3]发光体,X-射线粉末衍射数据分析表明它们属于正交晶系,空间群为Amm2.测量了...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文报道了纳米Gd2O3:(Ce3+,Eu3+)的紫外与真空紫外(UV-VUV)激发谱及其选择激发下的荧光光谱.这些光谱实验表明,除了Gd2O3基质与Ce3+,Eu3+离子之间的能量传递外,...
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刊名： 发光学报发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 本文研究了稀土Gd3+掺杂于PbWO4的发射光谱、激发光谱及其浓度依赖.Gd3+在PWO4中的发光完全被猝灭,而PWO4的发射光谱形状不变.掺入约50ppm后PWO4的绿光带有所增强,掺入约...
发光学报基本信息
| 刊名 | 发光学报 | 主编 | 申德振 |
| 曾用名 | 发光与显示 | ||
| 主办单位 | 中国物理学会发光分会 中科院长春光机所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-7032 | CN | 22-1116/O4 |
| 邮编 | 130033 | 电子邮箱 | fgxbt@126.com |
| 电话 | 0431-86176862，84613407 | 网址 | www.fgxb.org |
| 地址 | 长春市东南湖大路16号 |
发光学报评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 工程索引(美) |
| 4. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 2000年获中科院优秀科技期刊二等奖 |
| 2. | 2001年首批进入期刊方阵 |
| 3. | 2004年被选入中国科技期刊精品库 |
发光学报统计分析
被引趋势
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研究主题
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